Halbleiter

Plasmabeschichtung in der Halbleiterindustrie

Kundenfall

Üblicherweise werden Ätzmedien wie CF4, SF6, O2, Cl2, HBr und andere korrosive Gase verwendet, die die Werkstücke in der Kammer stark angreifen. Insbesondere bei der Verdampfung dieser Gase zu hochdichtem Plasma entstehen durch Plasmabeschuss und -erosion zahlreiche Mikropartikel auf der Oberfläche von Aluminiumlegierungen, Quarz, Keramik und anderen Bauteilen. Diese freigesetzten Partikel beeinträchtigen die Qualität und den Ausstoß wichtiger Bauteile erheblich, verursachen Defekte auf dem Wafer und verkürzen dessen Lebensdauer drastisch. Die Oxidschicht hingegen weist eine gute Hochtemperaturstabilität und Hitzebeständigkeit in anspruchsvollen Umgebungen auf.

Durch das Aufbringen einer Oxidschicht auf die Innenfläche der Ätzkammer kann die Entstehung von Mikropartikeln wirksam verhindert und der Siliziumwafer vor Verunreinigungen geschützt werden. Der Wartungszyklus der Ätzkammer würde sich dadurch von 15 Tagen auf 6 Monate verlängern.